英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护

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    绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。MOSFET裸片为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™8100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等以RDS(on)为核心指标的应用进行了专属优化。
    与上一代产品OptiMOS™5相比，全新OptiMOS™8在性价比和易用性方面均实现了显著提升，RDS(on)降幅最高达44%。该产品在电机驱动逆变器应用中的峰值电流输出能力最高提升18%，树立了全新的行业标杆。对于电池管理系统（BMS）中的电池保护等静态开关应用，RDS(on)的优化可实现更高的功率密度、更少的元器件用量，以及进一步改善的热性能。
    随着AI数据中心功率规模持续提升，电池备份单元（BBU）的功率密度要求也在不断提高。OptiMOS™8100V可满足大功率BBU系统的最高功率密度要求，精准契合这一发展趋势。
    OptiMOS™8100V具备小于0.8V的严格ΔVGS(th)规格，同时搭配低跨导（gfs）特性，可实现最佳均流效果，提升系统可靠性。为覆盖广泛应用场景，OptiMOS™8系列提供丰富的封装选择，包括采用带夹片技术的封装方案，如带铜夹的TOLL封装，以及成熟的SuperSO85x6封装，两类封装均可实现更出色的热性能。
    英飞凌近期推出的参考设计，在实际应用场景中验证了这些产品性能。该参考板将OptiMOS™8100V与XENSIV™TMR电流传感器、PSOC™ControlC3微控制器相结合，为电池供电低空物流应用实现磁场定向控制（FOC），是一款面向电子调速器（ESC）的开箱即用解决方案。