三星将扩建中国西安的NAND芯片工厂

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    据国外媒体报道，三星电子计划将其Xi安NAND闪存工厂升级为236层NAND工艺，并开始大规模扩张。

    NAND 闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，特别是在不超过4GB 的低容量应用程序中。随着人们继续追求更低的功耗、更轻的重量和更好的性能产品，NAND 已被证明极具吸引力。NAND 闪存是一种非易失性存储技术，即使在断电后也可以存储数据。其发展目标是降低单位存储成本，提高存储容量。创芯为电子元件批发

    报道称，三星已经开始采购最新的半导体设备，预计新设备将于2023年底交付。2024年，Xi安工厂将引进可生产236层NAND的设备。

    NAND 闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，特别是在不超过4GB 的低容量应用程序中。随着人们继续追求更低的功耗、更轻的重量和更好的性能产品，NAND 已被证明极具吸引力。NAND 闪存是一种非易失性存储技术，即使在断电后也可以存储数据。其发展目标是降低单位存储成本，提高存储容量。

    此前有消息称，美国已同意允许三星电子（Samsung Electronics）和 SK 海力士（SK Hynix）向其在华工厂供应设备，而无需获得其它许可。创芯为电子

    NAND闪存具有容量大、重写速度快等优点，适合存储大量数据，因此在业界得到了广泛应用。NAND结构可以提供极高的单元密度，达到很高的存储密度，写入和擦除的速度也很快。

据了解，目前三星西安工厂已成为全球最大的 NAND 制造基地，约占三星 NAND 总产量的40％ 。

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