英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅

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    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出基于成熟可靠750VCoolSiC™G2技术平台打造的碳化硅（SiC）双向开关（BDS）。区域控制器该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750VCoolSiC™BDS可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量，能够在应用的这个生命周期内实现极低的总体拥有成本。
    750VCoolSiC™BDS具备业界领先的RDS(on)×Qfr、优异的RDS(on)×QOSS，以及低Qg值，可有效降低开关损耗与导通损耗，实现超高速、高效的开关动作。在25℃条件下，典型栅阈值电压VGS(th)为4.5V，搭配超低QGD/QGS比值，可增强寄生导通抗扰性；扩展后的栅极偏压容限可支持-11V至25V瞬态电压，能够提升设计裕量并增强兼容性。该产品额定dv/dt可达200V/ns，可在不影响耐用性的前提下支持高频设计。该产品系列阻值覆盖范围为14mΩ至66mΩ。
    该产品专为高要求的电源系统而设计，提供840V(BR)DSS，为超过500V的母线电压时提供充足的裕量。此外，它还具有经验证的雪崩耐受性、100小时内高达200°C的过载耐受能力和2µs的短路耐受时间。这些器件能够有效保护系统，免受实际环境中电压浪涌、能量脉冲、瞬态应力以及浪涌电流的影响，确保系统能够长期稳定运行，并具备容错能力。
    750VCoolSiC™BDS扩展了英飞凌‌顶部散热‌产品家族，可适配当下要求最严苛、发展迅速的应用场景，支持原生液冷设计，通过拓扑层面的设计迭代，实现了全新的能效水平。
    在汽车应用中，该产品非常适用于车载充电器（OBC）、电动汽车充电以及eFuse（电子保险丝）和预充电电路。与CoolSiC™H-DPAK半桥器件配合使用，可帮助设计平顺过渡到基于SiC技术的单级车载充电器，让设计不仅兼具高功率密度和高成本效益，而且节省空间。
    在工业应用领域，它为快速迭代的各类应用场景带来了革新：
    配备原生液冷的HVDCAI电源
    户用太阳能与储能系统
    医院及现场数据中心的HVAC系统
    适用于电动垂直起降飞行器（eVTOL）的电流源逆变器（CSI）驱动
    电力及IT机架中的HVDC保护
    人形机器人集群快速充电