英飞凌针对 800 VDC 架构AI数据中心推出基于CoolGaN™的高压 IBC 参考设计

ggtdfgfdg

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出两款全新高压中间总线转换器（HVIBC）参考设计，帮助客户加速向±400V和800V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。电源IC这些参考设计采用英飞凌的650VCoolGaN™开关，专为追求更高机架功率、更低配电损耗、更优散热性能的超大规模云服务提供商、电源架构提供商与服务器OEM厂商所设计。
    新款参考设计针对两种不同的架构进行开发：800VDC至50V的设计作为下游48VIBC模块的中间级，而800VDC至12V的设计则为紧凑型服务器主板提供直接的电压转换。针对定制化应用，英飞凌还提供数字控制器XDPP1188-200C，支持灵活的输出电压，包括48V、24V和12V。
    英飞凌科技电源系统事业部副总裁ChristianBurrer表示：“英飞凌持续走在AI供电领域的前沿。我们的HVIBC参考设计凭借高品质的功率半导体与系统级设计专业知识，帮助客户加速迈向高压直流数据中心架构。通过展示完整、高效的实现方案，我们帮助客户降低开发风险、提升功率密度，并实现大规模的能源效率提升。”
    此次推出的800VDC或±400V至50VHVIBC参考设计专为下一代AI数据中心开发，满载效率超过98%。该设计采用英飞凌优化的高压和中压CoolGaN™开关、EiceDRIVER™栅极驱动器以及PSOC™微控制器，包含两个3kW400V至50V转换模块，采用输入串联-输出并联（ISOP）配置。该架构可扩展至6kW持续功率设计（TDP），并支持在400µs内达到10.8kW。利用PCB集成平面变压器，多级同步整流器，以及全载条件下的软切换来降低电磁干扰（EMI）。该紧凑型设计方案尺寸仅为60x60x11mm，实现了2.5kW/in³优异的功率密度。
    第二款参考设计是一个超薄HVIBC演示板，将800VDC总线电压直接转换成12V中间总线电压。该设计提供6kWTDP，且支持在400µs内达到10.8kW的峰值功率。作为ISOP半桥LLC转换器，它采用创新的矩阵变压器设计，占板面积为130mm×40mm，厚度仅为8mm。其功率密度达到2.3kW/in³以上，并支持创新的服务器主板散热方案，峰值效率可达98.2%，而满载效率可达97.1%。为满足这些严苛的规格要求，该设计采用了英飞凌高效的650VCoolGaN™和40VOptiMOS™7开关，搭配EiceDRIVER™栅极驱动器和PSOC™微控制器。
    这两款HVIBC参考设计专为与英飞凌从电网到核心的各种AI服务器供电产品组合配合使用而优化设计，包括固态变压器和固态断路器、高压和中间总线转换以及第二级DC转换电源模块。英飞凌充分发挥硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的优势，大幅提高产品效率、密度与可靠性，以经过验证的高品质半导体器件、持续的设计支持以及可扩展的产品性能为客户提供通往下一代AI服务器平台端到端电源架构的明确路径。