英飞凌推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

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    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™400VG2MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V（连续）和455V（瞬态）的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。大功率电机其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。
    与传统的250V和300V电压等级的硅（Si）技术相比，CoolSiC™G2400V和440VMOSFET在120°C工作温度下的导通损耗可降低多达50%，这归功于其导通电阻R(DS(on)随结温（Tj）变化的平稳表现。此外，其开关性能指标显著提升，反向恢复电荷相比传统技术减少了至少五倍。在系统层面，CoolSiC™G2400V和440VMOSFET在用于三电平飞跨电容CCM图腾柱PFC，相较于交错式两电平CCM图腾柱PFC电路，峰值电源效率提升最高可达0.4%，相当于峰值效率下系统损耗减少约15%。